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IGBT/SIC模塊功率循環試驗系統

簡要描述:IGBT/SIC模塊功率循環試驗系統
華科智源-功率循環老化設備主要是針對IGBT/SIC的封裝可靠性行進行實驗,通過控制實驗條件再現IGBT封裝的主要兩種失效方式:鍵合線失效和焊料層老化。實驗的關鍵是控制結溫的波動范圍以及最高溫度,得到不同條件下的實驗壽命,從而得到IGBT的壽命。

  • 產品型號:
  • 廠商性質:代理商
  • 更新時間:2024-01-29
  • 訪  問  量:1959

詳細介紹

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GBT/SIC模塊功率循環試驗系統

主要技術規格和性能:

產品型號GKH-IGBT-3000A,GKH-PC-1500A
符合標準試驗線路及試驗方法滿足MIL-STD-750、GJB128、IEC60747-9及AEC-Q101相關標準要求。
試驗電流最大加熱電流IH為3000A
系統組成一臺K系數測試機,GBT/SIC模塊功率循環試驗系統一臺試驗機及一臺制冷機組成。一套系統中即可測量器件的K系數,又可測量器件的熱阻值。并可對多只產品串聯做功率循環試驗。

①整機可以測試5個元件,5個元件串聯一起組成一組。試驗過程中的開通關斷以及恒流是通過大功率電子負載實現。相比直接的電子開關控制開通關斷,電子負載可以實現更精確的恒流。更快速的開通及關斷。
②被測試元件分別固定在水冷板上。
③每個元件的Vge電源采用隔離電源,輸出電壓程控產生。定期測試Ige電流。
④通過實時監測IH加熱電流,和VCE變化來判斷射極引線是否脫落。如果IH電流突然變為0,則可認為是射極引線脫落或材料開路,如果VCE變化越來越大,則可以認為部分射極引線脫落,或者是焊接不良或其它芯片原因,則設備停機報警
⑤定期檢測每只IGBT柵極引線是否脫落,判斷方法如下:使用IM小電流測試VCE, 如果VCE處于飽和壓降范圍內,則認為柵極引線脫落。
監控參數試驗電流IH、柵極電流Ige、柵極電壓Vge、集射極飽和壓降Vces、結到殼熱阻值Rth、高低結溫差值(Delta Tj)、殼溫及液冷平臺進出水口溫度、器件的壓力F(壓接型器件)、通斷時間、試驗周期數等。
數據記錄試驗全程記錄每個試驗通道的ICE、VCE@IH、VCE@IM、IGE、VGE、RthJc、F、ON\OFFTime、循環數,Delta Tj、Tjmax、Tjmin等參數。液冷平臺的進出水口溫度,制次機的水溫,器件的殼溫等。。可記錄數≥1000000次。
計算機工業級電腦主機、液晶顯示器、專用鍵盤及鼠標。WINDOWS操作界面,友好的人機對話窗口, 強大的圖形編輯能力以及強大的器件庫供用戶選擇,軟件操作簡單易學。更有系統查詢診斷功能, 試驗狀況一目了然,方便用戶隨時查驗。
電網要求三相AC380V±10%,47Hz~63Hz,90KW
外形尺寸W2480mmхH1820mmхD1320mm
重量約1200kg



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